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Référence fabricant

BSS308PEH6327XTSA1

Single P-Channel 30 V 80 mOhm 5 nC OptiMOS™ Small Signal Mosfet - SOT-23

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon BSS308PEH6327XTSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 80mΩ
Rated Power Dissipation: 500mW
Qg Gate Charge: 5nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 2A
Turn-on Delay Time: 5.6ns
Turn-off Delay Time: 15.3ns
Rise Time: 7.7ns
Fall Time: 2.8ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 1.5V
Technology: OptiMOS
Input Capacitance: 376pF
Style d'emballage :  SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :Order inventroy details
933 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
157,20 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0524
6 000
$0.0515
9 000
$0.051
15 000
$0.0504
30 000+
$0.049
Product Variant Information section