Référence fabricant
2N7000-D26Z
2N7000 Series 60 V 200 mA N-Ch. Enhancement Mode Field Effect Transistor-TO-92-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2000 par Reel Style d'emballage :TO-92 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2425 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi 2N7000-D26Z - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi 2N7000-D26Z - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 5Ω |
| Rated Power Dissipation: | 400mW |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 200mA |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2.1V |
| Input Capacitance: | 20pF |
| Style d'emballage : | TO-92 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The 2N7000_D26Z is a part of 2N70 series field effect transistor. It has an operating temperature ranging from -55°C to +150°C and its available in TO-92-3 package.
Features:
- High density cell design for low RDS(ON)
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
- Drain-Source Voltage: 60 V
- VDGR Drain-Gate Voltage: 60 V
Applications:
- Automation
- Broadband Access
- Home Audio System Components
- Mobile Comm Infrastructure
- Test and Measurement
Pricing Section
Stock global :
48 000
États-Unis:
48 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 000
$0.065
4 000
$0.0639
8 000
$0.0628
10 000
$0.0625
30 000+
$0.0604
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par Reel
Style d'emballage :
TO-92
Méthode de montage :
Through Hole