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Référence fabricant
BAR6302LE6327XTMA1
PIN diode for high speed switching of RF signals, Frequencies up to 3GHz
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :15000 par Reel Style d'emballage :SOD-882 Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon BAR6302LE6327XTMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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N/A
Code HTS:
N/A
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BAR6302LE6327XTMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--diodes--pin-diodes-rf/bar6302le6327xtma1-infineon-4090618
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BAR6302LE6327XTMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--diodes--pin-diodes-rf/bar6302le6327xtma1-infineon-4090618
Infineon BAR6302LE6327XTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Configuration: | Single |
| Breakdown Voltage-Max: | 50V |
| Forward Voltage: | 1.2V |
| Average Forward Current-Max: | 100mA |
| Power Dissipation: | 250mW |
| Diode Capacitance-Nom: | 0.3pF |
| Resistance: | 1Ω |
| Operating Temp Range: | -55°C to +125°C |
| Storage Temperature Range: | -55°C to +150°C |
| Moisture Sensitivity Level: | 1 |
| Style d'emballage : | SOD-882 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Quantité
Prix unitaire
15 000
$0.0534
30 000
$0.0525
45 000
$0.0521
60 000
$0.0517
75 000+
$0.0507
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
15000 par Reel
Style d'emballage :
SOD-882
Méthode de montage :
Surface Mount