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Référence fabricant

PBSS4350T,215

PBSS4350T Series 50 V 2 A SMT NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-23

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Nexperia
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2536
Product Specification Section
Nexperia PBSS4350T,215 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Polarity: NPN
Type: Small Signal
CE Voltage-Max: 50V
Collector Current Max: 2A
Power Dissipation-Tot: 300mW
Collector - Base Voltage: 50V
Collector - Emitter Saturation Voltage: 260mV
Emitter - Base Voltage: 5V
DC Current Gain-Min: 200
Collector - Current Cutoff: 100nA
Configuration: Single
Frequency - Transition: 100MHz
Operating Temp Range: -65°C to +150°C
Moisture Sensitivity Level: 1
Style d'emballage :  SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The PBSS4350T,215 is a Part of PBSS4350T Series 50 V 3 A NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Transistor. Operating temperature ranges from -65 to 150°C and available in SOT-23-3 Surface-Mounted Device plastic package.

Features:

  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat
  • High collector current capability
  • High collector current gain
  • Improved efficiency due to reduced heat generation

Applications:

  • Power management applications
  • Low and medium power DC/DC convertors
  • Supply line switching
  • Battery chargers
  • Linear voltage regulation with low voltage drop-out (LDO)

Pricing Section
Stock global :
3 000
États-Unis:
3 000
Sur commande :Order inventroy details
108 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
396,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.132
6 000
$0.131
9 000
$0.13
12 000
$0.129
15 000+
$0.127
Product Variant Information section