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Infineon | IGW75N60TFKSA1

Référence fabricant

IGW75N60TFKSA1

IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2549
Product Specification Section
Infineon IGW75N60TFKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
CE Voltage-Max: 600V
Collector Current @ 25C: 118A
Power Dissipation-Tot: 428W
Gate - Emitter Voltage: 20V
Pulsed Collector Current: 225A
Collector - Emitter Saturation Voltage: 1.5V
Turn-on Delay Time: 33ns
Turn-off Delay Time: 330ns
Qg Gate Charge: 470nC
Leakage Current: 100nA
Input Capacitance: 4620pF
Operating Temp Range: -40°C to +175°C
No of Terminals: 3
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
1 200
États-Unis:
1 200
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
19 Semaines
Commande minimale :
30
Multiples de :
30
Total 
66,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$2.20
120
$2.16
450
$2.13
1 200
$2.11
3 000+
$2.07
Product Variant Information section