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Référence fabricant
STGP8M120DF3
STGP8M120DF3: 1200 V 16 A 167 W Trench Gate Field-Stop M Series IGBT - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STGP8M120DF3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STGP8M120DF3&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/stgp8m120df3-stmicroelectronics-9164411
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STMicroelectronics STGP8M120DF3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 1200V |
| Collector Current @ 25C: | 16A |
| Power Dissipation-Tot: | 167W |
| Gate - Emitter Voltage: | ±20V |
| Pulsed Collector Current: | 32A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 2.2V |
| Turn-on Delay Time: | 20ns |
| Turn-off Delay Time: | 126ns |
| Qg Gate Charge: | 32nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 103ns |
| Leakage Current: | 250µA |
| Input Capacitance: | 542pF |
| Thermal Resistance: | 0.9°C/W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$2.27
2 000
$2.26
3 000+
$2.24
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole