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Référence fabricant

STGW25H120DF2

H Series 1.2 kV 25 A Flange Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STGW25H120DF2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
CE Voltage-Max: 1200V
Collector Current @ 25C: 50A
Power Dissipation-Tot: 375W
Gate - Emitter Voltage: 20V
Pulsed Collector Current: 100A
Collector - Emitter Saturation Voltage: 2.1V
Turn-on Delay Time: 29ns
Turn-off Delay Time: 130ns
Qg Gate Charge: 100nC
Reverse Recovery Time-Max: 303ns
Leakage Current: 250nA
Input Capacitance: 2010pF
Thermal Resistance: 50°C/W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
No of Terminals: 3
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
600
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 110,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
10
$1.93
40
$1.90
150
$1.87
400
$1.85
1 500+
$1.80
Product Variant Information section