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Référence fabricant
BSO220N03MDGXUMA1
Dual N-Channel 30 V 27 Ohm 10 nC OptiMOS™ Power Mosfet - DSO-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel | ||||||||||
| Code de date: | 2312 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon BSO220N03MDGXUMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSO220N03MDGXUMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bso220n03mdgxuma1-infineon-4170915
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Infineon BSO220N03MDGXUMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | Dual N-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 27Ω |
| Rated Power Dissipation: | 1.4W |
| Qg Gate Charge: | 10nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 2.1V |
| Drain Current: | 6A |
| Turn-on Delay Time: | 5.7ns |
| Turn-off Delay Time: | 6.4ns |
| Rise Time: | 2.8ns |
| Fall Time: | 3.4ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2.1V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 1.65mm |
| Length: | 5mm |
| Input Capacitance: | 800pF |
Pricing Section
Stock global :
2 500
États-Unis:
2 500
Sur commande :
0
Délai d'usine :
11 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.28
7 500
$0.275
25 000+
$0.27
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel