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Référence fabricant
BSZ068N06NSATMA1
Single N-Channel 60 V 6.8 mOhm 17 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :TSDSON-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2531 | ||||||||||
Infineon BSZ068N06NSATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change informationSubject Extension of shelf lifetime from 3 to 5 years for products in SMD (Surface Mount Devices) and Leadless packagesReason Extension of shelf lifetime and product availabilityDescription Maximum storage timeOld - 3 years New- 5 yearsIntended start of delivery Immediately
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSZ068N06NSATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsz068n06nsatma1-infineon-1183566
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Infineon BSZ068N06NSATMA1 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 6.8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.1W |
| Qg Gate Charge: | 17nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 40A |
| Turn-on Delay Time: | 7ns |
| Turn-off Delay Time: | 12ns |
| Rise Time: | 3ns |
| Fall Time: | 3ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2.8V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 1200pF |
| Style d'emballage : | TSDSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
TSDSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount