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Référence fabricant
BSZ110N08NS5ATMA1
BSZ110N08NS5 Series 80 V 40 A OptiMOSTM5 Power-Transistor - PG-TSDSON-8 FL
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
Infineon BSZ110N08NS5ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change informationSubject Extension of shelf lifetime from 3 to 5 years for products in SMD (Surface Mount Devices) and Leadless packagesReason Extension of shelf lifetime and product availabilityDescription Maximum storage timeOld - 3 years New- 5 yearsIntended start of delivery Immediately
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSZ110N08NS5ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsz110n08ns5atma1-infineon-7098341
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSZ110N08NS5ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsz110n08ns5atma1-infineon-7098341
Infineon BSZ110N08NS5ATMA1 - Caractéristiques techniques
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 11mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 50W |
| Qg Gate Charge: | 15nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 40A |
| Turn-on Delay Time: | 9ns |
| Turn-off Delay Time: | 15ns |
| Rise Time: | 3ns |
| Fall Time: | 3ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3.8V |
| Input Capacitance: | 1300pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount