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Référence fabricant
BSZ130N03MSGATMA1
Single N-Channel 30 V 11.5 mOhm 13 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :TSDSON-8 Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | 2430 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon BSZ130N03MSGATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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N/A
Code HTS:
N/A
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSZ130N03MSGATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsz130n03msgatma1-infineon-4183568
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSZ130N03MSGATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsz130n03msgatma1-infineon-4183568
Infineon BSZ130N03MSGATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 11.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.1|W |
| Qg Gate Charge: | 13nC |
| Style d'emballage : | TSDSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
5 000
États-Unis:
5 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.205
15 000
$0.20
25 000+
$0.197
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
TSDSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount