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Référence fabricant
FDN5618P
P-Channel 60 V 0.170 Ohm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SSOT-3 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2421 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDN5618P - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDN5618P&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdn5618p-onsemi-1158795
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onsemi FDN5618P - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.17Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.46|W |
| Qg Gate Charge: | 8.6nC |
| Style d'emballage : | SSOT-3 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDN5618P is 60 V 0.170 Ω P-Channel MOSFET uses high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications
Features:
- –1.25 A, –60 V. RDS(ON) = 0.200 Ω @ VGS = –10 V, RDS(ON) = 0.230 Ω @ VGS = –4.5 V
- Fast switching speed
- High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
Applications:
- DC-DC converters
- Load switch
- Power management???
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
29 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.158
9 000
$0.156
12 000
$0.155
30 000
$0.153
45 000+
$0.15
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SSOT-3
Méthode de montage :
Surface Mount