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Référence fabricant
IAUC60N04S6L039ATMA1
IAUC60Nxx Series 40 V 4 mOhms 60 A OptiMOS™- 6 Power-Transistor - PG-TDSON-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :TDSON-8 Méthode de montage :Surface Mount |
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Infineon IAUC60N04S6L039ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Description:Introduction of an additional wafer production and wafer test location at Infineon Technologies Austria AG, Villach, Austria for product family AFET6_40V and Introduction of an additional assembly production and final test location PT Infineon Technologies Batam, Batam, Indonesia for AFET6_40V in PG-TDSON-8Reason:Due to a continuously rising demand for Infineon automotive products
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IAUC60N04S6L039ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/iauc60n04s6l039atma1-infineon-8135370
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IAUC60N04S6L039ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/iauc60n04s6l039atma1-infineon-8135370
Infineon IAUC60N04S6L039ATMA1 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 42W |
| Qg Gate Charge: | 20nC |
| Drain Current: | 60A |
| Turn-on Delay Time: | 2ns |
| Turn-off Delay Time: | 7ns |
| Rise Time: | 1ns |
| Fall Time: | 3ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Input Capacitance: | 1179pF |
| Style d'emballage : | TDSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
TDSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount