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Référence fabricant
IPB013N06NF2SATMA1
IPB013N06NF2S Series 60 V 198 A 1.3 mOhm Single N-Channel MOSFET - TO-263-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPB013N06NF2SATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPB013N06NF2SATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipb013n06nf2satma1-infineon-7196456
Infineon IPB013N06NF2SATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.3mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.8W |
| Qg Gate Charge: | 203nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 40A |
| Turn-on Delay Time: | 26ns |
| Turn-off Delay Time: | 69ns |
| Rise Time: | 34ns |
| Fall Time: | 25ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.8V |
| Input Capacitance: | 13800pF |
| Series: | StrongIRFET 2 |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
800
$1.96
1 600
$1.95
2 400
$1.94
3 200
$1.93
4 000+
$1.91
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount