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Référence fabricant
IPB017N06N3GATMA1
Single N-Channel 60 V 1.7 mOhm 206 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK-7
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-7 (D2PAK7) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2433 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPB017N06N3GATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPB017N06N3GATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipb017n06n3gatma1-infineon-1183587
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Infineon IPB017N06N3GATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.7mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 250|W |
| Qg Gate Charge: | 206nC |
| Style d'emballage : | TO-263-7 (D2PAK7) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
1 000
États-Unis:
1 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
11 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.41
2 000
$1.40
3 000
$1.39
5 000+
$1.37
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-7 (D2PAK7)
Méthode de montage :
Surface Mount