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Référence fabricant
IPB95R450PFD7ATMA1
950 V 13.3A 450 mOhms Single N-Channel D2PAK-3 (TO-263-3) CoolMOS
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPB95R450PFD7ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPB95R450PFD7ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipb95r450pfd7atma1-infineon-3199454
Infineon IPB95R450PFD7ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 950V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 450mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 104W |
| Qg Gate Charge: | 43nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 13.3A |
| Turn-on Delay Time: | 9ns |
| Turn-off Delay Time: | 45ns |
| Rise Time: | 8.7ns |
| Fall Time: | 4.7ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3.5V |
| Input Capacitance: | 1230pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
19 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.13
2 000
$1.12
3 000
$1.11
5 000+
$1.10
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount