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Référence fabricant
IPN80R4K5P7ATMA1
Single N-Channel 800 V 4.5 Ohm 4 nC CoolMOS™ Power Mosfet - SOT-223
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-223 (TO-261-4, SC-73) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPN80R4K5P7ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPN80R4K5P7ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipn80r4k5p7atma1-infineon-7092500
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Infineon IPN80R4K5P7ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 800V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.5Ω |
| Rated Power Dissipation: | 6W |
| Qg Gate Charge: | 4nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 1.5A |
| Turn-on Delay Time: | 15ns |
| Turn-off Delay Time: | 60ns |
| Rise Time: | 15ns |
| Fall Time: | 80ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 80pF |
| Style d'emballage : | SOT-223 (TO-261-4, SC-73) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.22
9 000
$0.215
30 000+
$0.21
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-223 (TO-261-4, SC-73)
Méthode de montage :
Surface Mount