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Référence fabricant
IPP600N25N3GXKSA1
Single N-Channel 250 V 60 mOhm 22 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole |
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| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPP600N25N3GXKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Allemagne
Code HTS:
8541.29.00.55
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPP600N25N3GXKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipp600n25n3gxksa1-infineon-6064714
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPP600N25N3GXKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipp600n25n3gxksa1-infineon-6064714
Infineon IPP600N25N3GXKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 250V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 60mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 136|W |
| Qg Gate Charge: | 22nC |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
500
$2.23
1 000
$2.22
1 500
$2.21
2 000
$2.20
2 500+
$2.18
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole