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Référence fabricant
IPW65R070C6FKSA1
Single N-Channel 650 V 70 mOhm 170 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-247-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
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Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole |
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Infineon IPW65R070C6FKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Introduction of an additional assembly and final test location at Huayi Microelectronics Co., Ltd (HYME) for CoolMOSTM for package TO247-3Subject Introduction of an additional assembly and final test location at Huayi Microelectronics Co., Ltd (HYME) for CoolMOSTM for package TO247-3.Reason Expansion of assembly and test location to assure continuity and increase of supply.Intended start of delivery 2023-02-25, or earlier, depending on customer?s approval
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPW65R070C6FKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipw65r070c6fksa1-infineon-4060209
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPW65R070C6FKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipw65r070c6fksa1-infineon-4060209
Infineon IPW65R070C6FKSA1 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 70mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 391|W |
| Qg Gate Charge: | 170nC |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole