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Référence fabricant
IQFH39N04NM6ATMA1
OptiMOS 6 Series 40 V 63 A 0.39 mOhm Single N-Channel MOSFET - PG-TSON-12
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | 2341 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IQFH39N04NM6ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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N/A
Code HTS:
N/A
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Molding Compound Change
08/22/2025
Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IQFH39N04NM6ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/iqfh39n04nm6atma1-infineon-3192541
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IQFH39N04NM6ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/iqfh39n04nm6atma1-infineon-3192541
Infineon IQFH39N04NM6ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.39MΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3000mW |
| Qg Gate Charge: | 273nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 63A |
| Turn-on Delay Time: | 23ns |
| Turn-off Delay Time: | 69ns |
| Rise Time: | 70ns |
| Fall Time: | 14ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.8V |
| Input Capacitance: | 16400pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
3 000
États-Unis:
3 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$2.97
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount