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Référence fabricant
IRF5803TRPBF
Single P-Channel 40 V 190 mOhm 37 nC HEXFET® Power Mosfet - TSOP-6
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SC-74 (TSOP-6) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRF5803TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF5803TRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irf5803trpbf-infineon-1418805
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Infineon IRF5803TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 190mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2W |
| Qg Gate Charge: | 37nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 3.4A |
| Turn-on Delay Time: | 43ns |
| Turn-off Delay Time: | 88ns |
| Rise Time: | 550ns |
| Fall Time: | 50ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 1.3mm |
| Length: | 3mm |
| Input Capacitance: | 1110pF |
| Style d'emballage : | SC-74 (TSOP-6) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
19 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.15
9 000
$0.147
30 000
$0.144
45 000+
$0.142
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SC-74 (TSOP-6)
Méthode de montage :
Surface Mount