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Référence fabricant
IRF630STRLPBF
Single N-Channel 200 V 0.4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-263
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | 2023 | ||||||||||
Vishay IRF630STRLPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Description of Change: Vishay Siliconix announces that we are going to transfer foundry capacity gradually (phase by phase) to Newport UK for commercial HVM Power MOSFET parts (Gen 3) due to termination of 6-inch wafer foundry at Tower Semiconductor, Israel.Reason for Change: Due to termination of 6-inch wafer foundry at Tower Semiconductor, IsraelStart Shipment Date: Monday September 1, 2025
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF630STRLPBF&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irf630strlpbf-vishay-4878278
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF630STRLPBF&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irf630strlpbf-vishay-4878278
Vishay IRF630STRLPBF - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.4Ω |
| Rated Power Dissipation: | 74|W |
| Qg Gate Charge: | 43nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount