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Référence fabricant
IRF6717MTRPBF
Single N-Channel 25 V 1.25 mOhm 69 nC SMT HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4800 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2502 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRF6717MTRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Material Change
02/18/2025 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF6717MTRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irf6717mtrpbf-infineon-4183592
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Infineon IRF6717MTRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 25V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.25mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.8W |
| Qg Gate Charge: | 46nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 38A |
| Turn-on Delay Time: | 25ns |
| Turn-off Delay Time: | 19ns |
| Rise Time: | 37ns |
| Fall Time: | 15ns |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.8V |
| Input Capacitance: | 6750pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
4 800+
$1.41
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4800 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount