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Référence fabricant
IRFBF20SPBF
Single N-Channel 900 V 8 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
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Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount |
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Vishay IRFBF20SPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Description of Change: Vishay Siliconix announces that we are going to transfer foundry capacity gradually (phase by phase) to Newport UK for commercial HVM Power MOSFET parts (Gen 3) due to termination of 6-inch wafer foundry at Tower Semiconductor, Israel.Reason for Change: Due to termination of 6-inch wafer foundry at Tower Semiconductor, IsraelStart Shipment Date: Monday September 1, 2025
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFBF20SPBF&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfbf20spbf-vishay-3379450
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFBF20SPBF&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfbf20spbf-vishay-3379450
Vishay IRFBF20SPBF - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 900V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 8Ω |
| Rated Power Dissipation: | 54|W |
| Qg Gate Charge: | 38nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount