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Référence fabricant
NDC7001C
Dual N & P-Channel 60 V 2 Ohm SMT Field Effect Transistor - SSOT-6
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SSOT-6 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2409 | ||||||||||
onsemi NDC7001C - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NDC7001C&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ndc7001c-onsemi-2205971
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onsemi NDC7001C - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | Dual N/P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V/-60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2Ω/5Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.7|W |
| Qg Gate Charge: | 1.1nC/1.6nC |
| Style d'emballage : | SSOT-6 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The NDC7001C Part Number is a Dual N & P-Channel enhancement mode Field effect transistors, are produced using high cell density, DMOS technology.
This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. These device is particularly suited for low voltage, low current, switching, and power supply applications.
Features:
- Q1: 0.51A, 60V
- RDS(on) = 2O @ VGS = 10V
- RDS(on) = 4O @ VGS = 4.5V
- Q2: -0.34A, 60V
- RDS(on) = 5O @ VGS = -10V
- RDS(on) = 7.5O @ VGS = -4.5V
- High saturation current
- High density cell design for low RDS(ON)
- Proprietary Super SOTTM-6 package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities
Applications:
- Automation
- Broadband Access
- Broadband Modem
- Broadcast & Studio
- Building & Home Control
- Camcorder
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SSOT-6
Méthode de montage :
Surface Mount