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Référence fabricant
NTJS3151PT1G
P-Channel 12 V 45 mOhm 0.625 W Surface Mount Trench Power MOSFET - SOT-363
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-363 (SC-70-6, SC-88) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTJS3151PT1G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NTJS3151PT1G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ntjs3151pt1g-onsemi-7184458
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onsemi NTJS3151PT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 12V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 60mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.625W |
| Qg Gate Charge: | 8.6nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 12V |
| Drain Current: | 2.7A |
| Turn-on Delay Time: | 0.86µs |
| Turn-off Delay Time: | 3.5µs |
| Rise Time: | 1.5µs |
| Fall Time: | 3.9µs |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.2V |
| Input Capacitance: | 850pF |
| Style d'emballage : | SOT-363 (SC-70-6, SC-88) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
30 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.115
9 000
$0.113
15 000
$0.112
30 000
$0.111
60 000+
$0.109
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-363 (SC-70-6, SC-88)
Méthode de montage :
Surface Mount