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Référence fabricant

PMDT290UCE,115

N/P Channel 20 V 380 mOhm 0.45 nC Surface Mount Trench Mosfet - SOT-666

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Nexperia
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Nexperia PMDT290UCE,115 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Not For Automotive Designs
Fet Type: Dual N/P-Ch
No of Channels: 2
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 380mΩ/850mΩ
Rated Power Dissipation: 500mW
Qg Gate Charge: 0.45nC/0.76nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 8V
Drain Current: 800mA/550mA
Turn-on Delay Time: 6ns/18ns
Turn-off Delay Time: 86ns/80ns
Rise Time: 4ns/30ns
Fall Time: 31ns/72ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 0.75V/0.8V
Technology: Si
Input Capacitance: 55pF/58pF
Style d'emballage :  SOT-666
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
8000
Multiples de :
4000
Total 
1 800,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
4 000
$0.23
8 000
$0.225
20 000+
$0.22
Product Variant Information section