Livraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent
Les commandes expédiées à l’extérieur des États-Unis seront en attente pendant que l’entreprise évalue les impacts tarifaires.Veuillez contacter votre vendeur pour obtenir de l’aide.
Référence fabricant
SIHB12N60E-GE3
MOSFET 600V 380MOHM@10V 12A N-CH E-SRS
|
|
|||||||||||
|
|
|||||||||||
| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :500 par Tube Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount |
||||||||||
| Code de date: | 2530 | ||||||||||
Vishay SIHB12N60E-GE3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Description of Change: To meet increasing demand for commercial Power MOSFET products, Vishay Siliconix announces the qualification of wafer back-grind and back-metallization (BGBM) on Super Junction Commercial Power MOSFETs at in-house Siliconix Philippines Inc. (SPI) Facility in Binan, Philippines.Reason for Change: Manufacturing Capacity Expansion
Statut du produit:
-
https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SIHB12N60E-GE3&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/sihb12n60e-ge3-vishay-7061404
-
https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SIHB12N60E-GE3&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/sihb12n60e-ge3-vishay-7061404
Vishay SIHB12N60E-GE3 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 380mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 147|W |
| Qg Gate Charge: | 29nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
Features:
- Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x Qg
- Low Input Capacitance (Ciss)
- Reduced Switching and Conduction Losses
- Ultra Low Gate Charge (Qg)
- Avalanche Energy Rated (UIS)
- Superjunction Technology
Applications:
- Server and Telecom Power Supplies
- Switch Mode Power Supplies (SMPS)
- Power Factor Correction Power Supplies (PFC)
- Lighting
- High-Intensity Discharge (HID)
- Fluorescent Ballast Lighting
- Industrial
- Welding
- Induction Heating
- Motor Drives
- Battery Chargers
- Renewable Energy
- Solar (PV Inverters)
View the List of available E-Series Power MOSFETs.
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
500 par Tube
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount