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Référence fabricant
STH170N8F7-2
N-Channel 80 V 120 A 0.0037 Ohm Surface Mount STripFET™ F7 Power Mosfet - H2PAK
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STH170N8F7-2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STH170N8F7-2&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/sth170n8f7-2-stmicroelectronics-2070426
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STMicroelectronics STH170N8F7-2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.7mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 250W |
| Qg Gate Charge: | 120nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 120A |
| Turn-on Delay Time: | 38ns |
| Turn-off Delay Time: | 79ns |
| Rise Time: | 53ns |
| Fall Time: | 37ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4.5V |
| Input Capacitance: | 8710pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.41
2 000
$1.40
4 000
$1.39
5 000+
$1.38
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount