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STMicroelectronics | STP14NM50N

Référence fabricant

STP14NM50N

N-Channel 500 V 0.32 Ohm Flange Mount MDmesh II Power Mosfet - TO-220

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STP14NM50N - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 500V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.32Ω
Rated Power Dissipation: 90|W
Qg Gate Charge: 27nC
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Flange Mount
Fonctionnalités et applications

The STP14NM50N device is made using the second generation of MDmeshTM technology. This
revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

Features:

  • 100% avalanche tested
  • Low input capacitance and gate charge
  • Low gate input resistance

Applications:

  • Switching applications
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
50
Total 
2 340,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$2.41
200
$2.37
500
$2.34
1 250
$2.32
2 000+
$2.28
Product Variant Information section
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