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Référence fabricant
STP18NM60ND
N-Channel 650 V 0.29 Ohm 130 W Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 1341 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STP18NM60ND - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
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STMicroelectronics STP18NM60ND - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.29Ω |
| Rated Power Dissipation: | 130W |
| Qg Gate Charge: | 34nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain Current: | 13A |
| Turn-on Delay Time: | 55ns |
| Turn-off Delay Time: | 13ns |
| Rise Time: | 15.5ns |
| Fall Time: | 18ns |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Input Capacitance: | 1030pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
200
États-Unis:
200
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
1 000+
$4.00
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole