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Référence fabricant
STP30N65M5
N-Channel 650 V 0.139 Ohm MDmesh V Power Mosfet - TO-220
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole |
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| Code de date: | 2519 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STP30N65M5 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Italie
Code HTS:
8541.29.00.55
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STP30N65M5&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stp30n65m5-stmicroelectronics-5024106
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STMicroelectronics STP30N65M5 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.139Ω |
| Rated Power Dissipation: | 140W |
| Qg Gate Charge: | 64nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain Current: | 22A |
| Turn-off Delay Time: | 50ns |
| Rise Time: | 8ns |
| Fall Time: | 10ns |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | MDmesh |
| Input Capacitance: | 2880pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
150
États-Unis:
150
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$4.83
150
$4.76
250
$4.73
750
$4.67
1 250+
$4.61
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole