Référence fabricant
STY100NM60N
N-Channel 600 V 29 mOhm Through Hole MDmesh™ II Power Mosfet - MAX-247
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :MAX-247 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STY100NM60N - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
STMicroelectronics STY100NM60N - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 29mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 625|W |
| Qg Gate Charge: | 330nC |
| Style d'emballage : | MAX-247 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30
$20.08
60
$19.97
120
$19.87
150
$19.83
450+
$19.63
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
MAX-247
Méthode de montage :
Through Hole