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Référence fabricant
IMYH200R012M1HXKSA1
CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IMYH200R012M1HXKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IMYH200R012M1HXKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/imyh200r012m1hxksa1-infineon-5174029
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Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30
$57.42
60
$57.08
90
$56.88
120
$56.74
150+
$56.30
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube