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Référence fabricant
NVHL080N120SC1
N-Channel 1200 V 44 A 348 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :450 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2336 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NVHL080N120SC1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NVHL080N120SC1&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/nvhl080n120sc1-onsemi-1112062
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onsemi NVHL080N120SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Not Recommended for New Designs |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 31A |
| Input Capacitance: | 1112pF |
| Power Dissipation: | 178W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
450
États-Unis:
450
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
450+
$9.15
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
450 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole