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Référence fabricant
SCT4045DEC11
750 V 34A 115W Through Hole N-Channel SiC Power MOSFET-TO-247N
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| Nom du fabricant: | ROHM | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :450 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2312 | ||||||||||
Product Specification Section
ROHM SCT4045DEC11 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SCT4045DEC11&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/sct4045dec11-rohm-4174412
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ROHM SCT4045DEC11 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 750V |
| Drain Current: | 34A |
| Input Capacitance: | 1460pF |
| Power Dissipation: | 115W |
| Operating Temp Range: | 175°C |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
1 350
États-Unis:
1 350
Sur commande :
0
Délai d'usine :
30 Semaines
Quantité
Prix unitaire
450
$7.08
900+
$7.02
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
450 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole