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Référence fabricant
NXH008T120M3F2PTHG
4 N-Channel 1200 V 129 A 371 W 11.5 mOhm Silicon Carbide MOSFET Module - PIM-29
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :20 par Tray Style d'emballage :Module Méthode de montage :Chassis Mount |
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| Code de date: | 2425 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NXH008T120M3F2PTHG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Allemagne
Code HTS:
8541.29.00.55
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
-
https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NXH008T120M3F2PTHG&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-power-modules-sic-power-modules/nxh008t120m3f2pthg-onsemi-7183599
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NXH008T120M3F2PTHG&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-power-modules-sic-power-modules/nxh008t120m3f2pthg-onsemi-7183599
onsemi NXH008T120M3F2PTHG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Type: | Power Module |
| Technology: | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 1200V |
| Drain Current: | 128A |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Style d'emballage : | Module |
| Méthode de montage : | Chassis Mount |
Pricing Section
Stock global :
20
États-Unis:
20
Sur commande :
0
Délai d'usine :
23 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$144.14
4
$142.04
10
$140.67
25
$139.31
40+
$137.28
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
20 par Tray
Style d'emballage :
Module
Méthode de montage :
Chassis Mount