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Référence fabricant
2N7000
N-Channel 60 V 5 Ohm Enhancement Mode Field Effect Transistor-TO-92-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :10000 par Style d'emballage :TO-92 Méthode de montage :Through Hole |
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| Code de date: | 2531 | ||||||||||
onsemi 2N7000 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=2N7000&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/2n7000-onsemi-6222822
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=2N7000&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/2n7000-onsemi-6222822
onsemi 2N7000 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 5Ω |
| Rated Power Dissipation: | 400|mW |
| Style d'emballage : | TO-92 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The 2N7000 is a 60 V, 5 Ω N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor produced using high cell density DMOS technology.
This product have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400 mA DC and can deliver pulsed currents up to 2 A.
Features:
- High density cell design for low RDS(ON).
- Voltage controlled small signal switch.
- Rugged and reliable.
- High saturation current capability.
Applications:
- Servo motor control
- Switching applications
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
10000 par
Style d'emballage :
TO-92
Méthode de montage :
Through Hole