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Référence fabricant

BSO201SPHXUMA1

Single P-Channel 20 V 8 mOhm 66 nC OptiMOS™ Power Mosfet - DSO-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon BSO201SPHXUMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 8mΩ
Rated Power Dissipation: 1.6|W
Qg Gate Charge: 66nC
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
Total 
1 737,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.695
5 000
$0.685
7 500
$0.68
10 000+
$0.675
Product Variant Information section