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onsemi | FDS2672

Référence fabricant

FDS2672

N-Channel 200 V 70 mOhm UltraFET Trench® Mosfet - SOIC-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2419
Product Specification Section
onsemi FDS2672 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200V
Drain-Source On Resistance-Max: 70mΩ
Rated Power Dissipation: 2.5|W
Qg Gate Charge: 33nC
Style d'emballage :  SOIC-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
10 000
États-Unis:
10 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
2 312,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.925
5 000
$0.91
7 500+
$0.90
Product Variant Information section