Codice produttore
IPD082N10N3GATMA1
Single N-Channel 100 V 8.2 mOhm 42 nC OptiMOS™ Power Mosfet - DPAK
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| Fabbricante: | Infineon | ||||||||||
| Confezione Standard: | Product Variant Information section Pacchetti disponibiliQ.tà confezione:2500 per Reel Tipologia confezione:TO-252-3 (DPAK) Metodo di montaggio:Surface Mount | ||||||||||
| Codice data: | 2436 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPD082N10N3GATMA1 - Specifiche del Prodotto
Informazioni sulla spedizione:
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ECCN:
EAR99
Informazioni PCN:
File
Data
Specification Change
01/13/2026 Dettagli e scarica
Detailed change informationSubject Extension of shelf lifetime from 3 to 5 years for products in SMD (Surface Mount Devices) and Leadless packagesReason Extension of shelf lifetime and product availabilityDescription Maximum storage timeOld - 3 years New- 5 yearsIntended start of delivery Immediately
Stato del Prodotto:
Attivo
Attivo
Infineon IPD082N10N3GATMA1 - Caratteristiche Tecniche
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 8.2mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 125|W |
| Qg Gate Charge: | 42nC |
| Tipologia confezione: | TO-252-3 (DPAK) |
| Metodo di montaggio: | Surface Mount |
Pricing Section
Stock globale:
5.000
Germania:
5.000
In ordine:
0
Lead Time del produttore:
16 Weeks
Quantità
Prezzo unitario
2.500
0,66 $
5.000+
0,645 $
Product Variant Information section
Pacchetti disponibili
Q.tà confezione:
2500 per Reel
Tipologia confezione:
TO-252-3 (DPAK)
Metodo di montaggio:
Surface Mount