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Référence fabricant
IPG20N10S4L22AATMA1
IPG20N10S4L Series 100 V 22 mOhm 20 A OptiMOS™-T2 Power-Transistor-PG-TDSON-8-10
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :TDSON-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPG20N10S4L22AATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
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Infineon IPG20N10S4L22AATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | Dual N-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 22mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 60W |
| Qg Gate Charge: | 21nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 16V |
| Drain Current: | 20A |
| Turn-on Delay Time: | 5ns |
| Turn-off Delay Time: | 30ns |
| Rise Time: | 3ns |
| Fall Time: | 18ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 1.6V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 1350pF |
| Style d'emballage : | TDSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000+
$0.765
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
TDSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount