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Référence fabricant
IPZA65R029CFD7XKSA1
650Volt, 69Amp, 29Mohm, TO-247-4 - CoolMOS™ CFD7
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-4 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPZA65R029CFD7XKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPZA65R029CFD7XKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipza65r029cfd7xksa1-infineon-5183509
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Infineon IPZA65R029CFD7XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 29mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 305W |
| Qg Gate Charge: | 145nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 69A |
| Turn-on Delay Time: | 54ns |
| Turn-off Delay Time: | 159ns |
| Rise Time: | 3ns |
| Fall Time: | 3ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 7149pF |
| Series: | CoolMOS CFD7 |
| Style d'emballage : | TO-247-4 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30
$7.33
90
$7.28
150
$7.25
600
$7.19
900+
$7.14
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-4
Méthode de montage :
Through Hole