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Infineon | IRFB7430PBF

Référence fabricant

IRFB7430PBF

Single N-Channel 40 V 1.3 mOhm 460 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IRFB7430PBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 40V
Drain-Source On Resistance-Max: 1.3mΩ
Rated Power Dissipation: 375W
Qg Gate Charge: 460nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 409A
Turn-on Delay Time: 32ns
Turn-off Delay Time: 160ns
Rise Time: 105ns
Fall Time: 100ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 3.9V
Technology: Si
Height - Max: 9.02mm
Length: 10.67mm
Input Capacitance: 14240pF
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
50
Total 
1 150,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$1.18
200
$1.17
750
$1.15
2 000
$1.14
5 000+
$1.12
Product Variant Information section