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Référence fabricant
NTH4L040N120M3S
1200 V 54A 231W Through Hole N-Channel Silicon Carbide MOSFET - TO-247-4L
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :450 par Tube Style d'emballage :TO-247-4 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2303 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTH4L040N120M3S - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NTH4L040N120M3S&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/nth4l040n120m3s-onsemi-7189752
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onsemi NTH4L040N120M3S - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 20Ω |
| Rated Power Dissipation: | 319W |
| Qg Gate Charge: | 106nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 58A |
| Turn-on Delay Time: | 30ns |
| Turn-off Delay Time: | 51ns |
| Rise Time: | 36ns |
| Fall Time: | 20ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4.3V |
| Technology: | SiC |
| Input Capacitance: | 1762pF |
| Series: | NVH4L |
| Style d'emballage : | TO-247-4 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
450
$8.26
900+
$8.20
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
450 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-4
Méthode de montage :
Through Hole