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Référence fabricant
STY50N105DK5
N-Channel 1050 V 46 A 625 W MDmesh™ DK5 Power MOSFET -Max-247
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :600 par Tube Style d'emballage :MAX-247 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STY50N105DK5 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STY50N105DK5&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/sty50n105dk5-stmicroelectronics-6100836
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STMicroelectronics STY50N105DK5 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1050V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.12Ω |
| Rated Power Dissipation: | 625W |
| Qg Gate Charge: | 204nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
| Drain Current: | 46A |
| Turn-on Delay Time: | 40.6ns |
| Turn-off Delay Time: | 262ns |
| Rise Time: | 64.5ns |
| Fall Time: | 49.5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | MDmesh |
| Input Capacitance: | 6675pF |
| Style d'emballage : | MAX-247 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
600+
$19.62
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
600 par Tube
Style d'emballage :
MAX-247
Méthode de montage :
Through Hole