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Référence fabricant
CY14B108N-ZSP25XI
CY14B108N Series 8 Mb (512 K × 16) Surface Mount nvSRAM - TSOP II-54
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :108 par Tray Style d'emballage :TSOP II-54 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
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Infineon CY14B108N-ZSP25XI - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change informationSubject: Change of label affecting dedicated Memory Solutions products: addition of HAL-free markReason:Standardization of labelling for Infineon products. Deeper integration of supply chain and detailed assessment confirmed HAL-free products in Infineon portfolio. Deliveries will start with 25.02.2025 to cascade information to Infineon customers with utmost urgency.Intended start of delivery 2025-02-25
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=CY14B108N-ZSP25XI&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--memory--RAM--nvram--quantum-trap-nvsram/cy14b108n-zsp25xi-infineon-6371967
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=CY14B108N-ZSP25XI&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--memory--RAM--nvram--quantum-trap-nvsram/cy14b108n-zsp25xi-infineon-6371967
Infineon CY14B108N-ZSP25XI - Caractéristiques techniques
| Memory Density: | 8Mb |
| Memory Organization: | 512 K x 16 |
| Supply Voltage-Nom: | 2.7V to 3.6V |
| Access Time-Max: | 25ns |
| Interface: | Parallel |
| Power Dissipation: | 1W |
| Temperature Grade: | Industrial |
| Operating Temp Range: | -40°C to +85°C |
| Storage Temperature Range: | -65°C to +150°C |
| Moisture Sensitivity Level: | 3 |
| Style d'emballage : | TSOP II-54 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
108 par Tray
Style d'emballage :
TSOP II-54
Méthode de montage :
Surface Mount