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Microchip | DN3535N8-G

Référence fabricant

DN3535N8-G

DN3535 Series 350 V 230 mA N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs -TO-243AA

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Microchip
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Microchip DN3535N8-G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 350V
Drain-Source On Resistance-Max: 10Ω
Rated Power Dissipation: 1.6W
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 230mA
Turn-on Delay Time: 15ns
Turn-off Delay Time: 20ns
Rise Time: 20ns
Fall Time: 30ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Technology: DMOS
Input Capacitance: 360pF
Style d'emballage :  SOT-89 (SC-62)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
2000
Multiples de :
2000
Total 
1 730,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 000
$0.865
4 000
$0.855
6 000
$0.85
8 000
$0.845
10 000+
$0.83
Product Variant Information section