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onsemi | NTMD3P03R2G

Référence fabricant

NTMD3P03R2G

Dual P-Channel 30 V 85 mΩ 0.73 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi NTMD3P03R2G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 85mΩ
Rated Power Dissipation: 0.73|W
Qg Gate Charge: 25nC
Style d'emballage :  SOIC-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
2 500
Délai d'usine :
31 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
Total 
2 187,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.875
5 000
$0.86
7 500+
$0.85
Product Variant Information section