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Référence fabricant
MJD112-1G
MJD Series 100 V 2 A Through Hole NPN Complementary Darlington Power Transistor
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :75 par Tube Style d'emballage :TO-251 (IPAK) Méthode de montage :Through Hole |
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| Code de date: | 2305 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi MJD112-1G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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N/A
Code HTS:
N/A
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
-
https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=MJD112-1G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/mjd112-1g-onsemi-2804698
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onsemi MJD112-1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Polarity: | NPN |
| Type: | Darlington |
| CE Voltage-Max: | 100V |
| Collector Current Max: | 2A |
| Power Dissipation-Tot: | 1.75W |
| DC Current Gain-Min: | 500 |
| Style d'emballage : | TO-251 (IPAK) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
73
États-Unis:
73
Sur commande :
0
Délai d'usine :
29 Semaines
Quantité
Prix unitaire
40
$0.57
125
$0.56
300
$0.55
750
$0.535
2 000+
$0.515
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
75 par Tube
Style d'emballage :
TO-251 (IPAK)
Méthode de montage :
Through Hole